晶振匹配電容 表晶 東莞工廠

　　晶振是晶體振蕩器的簡稱，在電氣上它可以等效成一個電容和一個電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個電容的二端網(wǎng)絡(luò)，電工學(xué)上這個網(wǎng)絡(luò)有兩個諧振點(diǎn)，以頻率的高低分其中較低的頻率是串聯(lián)諧振，較高的頻率是并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個頻率的距離相當(dāng)?shù)慕咏?在這個極窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個電感，所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會組成并聯(lián)諧振電路。這個并聯(lián)諧振電路加到一個負(fù)反饋電路中就可以構(gòu)成正弦波振蕩電路，由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄,所以即使其他元件的參數(shù)變化很大,這個振蕩器的頻率也不會有很大的變化。

　　一般的晶振振蕩電路都是在一個反相放大器(注意是放大器不是反相器)的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接到地,這兩個電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容,這個不能忽略。

　　如何防止晶振出現(xiàn)不良現(xiàn)象，現(xiàn)在介紹嚴(yán)格按照技術(shù)要求的規(guī)定，對晶振組件進(jìn)行檢漏試驗(yàn)以檢查其密封性，具體如下：

　　1、壓封工序是將調(diào)好的諧振件在保護(hù)中與外殼封裝起來，以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能。在此工序應(yīng)保持送料倉、壓封倉和出料倉干凈，壓封倉要連續(xù)沖，并在壓封過程中注意焊頭磨損情況及模具位置，電壓、氣壓和流量是否正常，否則及時處理。其質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)為：無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿，壓印對稱不可歪斜。

　　2、由于石英晶體是被動組件，它是由IC提供適當(dāng)?shù)募罟β识９ぷ鞯模虼耍?dāng)激勵功率過低時，石英晶振不易起振，過高時，便形成過激勵，使石英芯片破損，引起停振。所以，應(yīng)提供適當(dāng)?shù)募罟β省Ａ硗猓泄ω?fù)載會消耗一定的功率，從而降低晶體Q值，從而使晶體的穩(wěn)定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩(wěn)定狀態(tài)，出現(xiàn)時振時不振現(xiàn)象，所以，外加有功負(fù)載時，應(yīng)匹配一個比較合適有功負(fù)載。

　　3、控制好剪腳和焊錫工序，并保證基座絕緣性能和引腳質(zhì)量，引腳鍍層光亮均勻無麻面，無變形、裂痕、變色、劃傷、污跡及鍍層剝落。為了更好地防止單漏，可以在晶體下加一個絕緣墊片。

　　4、當(dāng)晶體產(chǎn)生頻率漂移而且超出頻差范圍時，應(yīng)檢查是否匹配了合適的負(fù)載電容，可以通過調(diào)節(jié)晶體的負(fù)載電容來解決。

　　晶體振蕩器實(shí)際應(yīng)用的環(huán)境需要慎重考慮。例如，高強(qiáng)度的振動或沖擊會給振蕩器帶來問題。除了可能產(chǎn)生物理損壞，振動或沖擊可在某些頻率下引起錯誤的動作。這些外部感應(yīng)的擾動會產(chǎn)生頻率跳動、增加噪聲份量以及間歇性振蕩器失效。對于要求特殊EMI兼容的應(yīng)用，EMI是另一個要優(yōu)先考慮的問題。除了采用合適的PC母板布局技術(shù)，重要的是選擇可提供輻射量小的時鐘振蕩器。一般來說，具有較慢上升/下降時間的振蕩器呈現(xiàn)較好的EMI特性。