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功率半導(dǎo)體IGBT測試機單管|模塊測試設(shè)備

參考價	￥ 1000
訂貨量	≥1臺

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
品牌其他品牌
型號PMST3520
所在地武漢市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時間2025/7/17 15:31:51
訪問次數(shù)200

產(chǎn)品標(biāo)簽:

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武漢普賽斯儀表有限公司坐落于國家*產(chǎn)業(yè)基地“武漢·中國光谷”，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)于一體的技術(shù)型企業(yè)，擁有以碩士、博士學(xué)歷為主的研發(fā)團隊和經(jīng)驗豐富的管理服務(wù)團隊。

普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等(加V了解詳情whpssins)，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的測試工藝，為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合，幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案。為半導(dǎo)體封測廠家提供相關(guān)測試儀表、測試平臺，以及相關(guān)技術(shù)服務(wù)，滿足行業(yè)對測試效率、測試精度，以及低成本的挑戰(zhàn)。

展開顯示更多內(nèi)容

源表,數(shù)字源表,脈沖源表,源測單元,SMU,脈沖電流源,VCSEL測試儀器,脈沖LIV,激光脈沖電流源，插卡式多通道源表

產(chǎn)品簡介在線詢價

功率半導(dǎo)體IGBT測試機單管|模塊測試設(shè)備采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結(jié)合專用上位機測試軟件，可根據(jù)測試項目需要，設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外，測試主機可與探針臺搭配使用，實現(xiàn)晶圓級芯片測試；也可與熱流儀、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。

功率半導(dǎo)體IGBT測試機單管|模塊測試設(shè)備產(chǎn)品信息

隨著半導(dǎo)體制程工藝不斷提升，測試和驗證也變得更加重要。通常，主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動態(tài)特性、開關(guān)特性。靜態(tài)參數(shù)特性主要是表征器件本征特性指標(biāo)，與工作條件無關(guān)的相關(guān)參數(shù)，如很多功率器件的的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)DSS、漏電流I CES/IDSS/IGES/IGSS、閾值電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs、壓降VF 、導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)）等。功率半導(dǎo)體器件是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式器件，兼有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點；同時半導(dǎo)體功率器件的芯片屬于電力電子芯片，需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下，對芯片的可靠性要求較高，這給測試帶來了一定的困難。市面上傳統(tǒng)的測量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求，但是寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術(shù)卻極大擴展了高壓、高速的分布區(qū)間。如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。

普賽斯功率半導(dǎo)體IGBT測試機單管|模塊測試設(shè)備解決方案

PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計、精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)，是一款能夠提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試，并具有優(yōu)秀的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。

針對用戶不同測試場景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線半自動化測試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線全自動化測試系統(tǒng)三款功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)。

功率半導(dǎo)體IGBT測試機單管|模塊測試設(shè)備

從實驗室到小批量、大批量產(chǎn)線的全覆蓋

從Si IGBT、SiC MOS到GaN HEMT的全覆蓋

從晶圓、芯片、器件、模塊到IPM的全覆蓋

功率半導(dǎo)體IGBT測試機單管|模塊測試設(shè)備特點

1、高電壓、大電流

具有高電壓測量/輸出能力，電壓高達(dá)3500V（蕞大可擴展至10kV）

具有大電流測量/輸出能力，電流高達(dá)6000A（多模塊并聯(lián)）

2、高精度測量

納安級漏電流，μΩ級導(dǎo)通電阻

0.1％精度測量

四線制測試

3、模塊化配置

可根據(jù)實際測試需要靈活配置多種測量單元

系統(tǒng)預(yù)留升級空間，后期可添加或升級測量單元

4、測試效率高

內(nèi)置專用開關(guān)矩陣，根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元

支持國標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測試

5、軟件功能豐富

上位機自帶器件標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)測試項目模板，可直接調(diào)取使用

支持曲線繪制

自動保存測試數(shù)據(jù)，并支持EXCEL格式導(dǎo)出

開放的標(biāo)準(zhǔn)SCPI指令集，可與第三方系統(tǒng)集成

6、擴展性好

支持常溫及低溫、高溫測試

可靈活定制各種夾具

可與探針臺，溫箱等第三方設(shè)備聯(lián)動使用

硬件特色與性能優(yōu)勢

1、大電流輸出響應(yīng)快，無過沖

采用自主開發(fā)的高性能脈沖式大電流源、高壓源，輸出建立過程響應(yīng)快、無過沖。測試過程中，大電流典型上升時間為15μs，脈寬在50~500μs之間可調(diào)。采用脈沖大電流的測試方式，可有效降低器件因自身發(fā)熱帶來的誤差。

2、高壓測試支持恒壓限流，恒流限壓模式

采用自主開發(fā)的高性能高壓源，輸出建立與斷開響應(yīng)快、無過沖。在擊穿電壓測試中，可設(shè)定電流限制或者電壓限值，防止器件因過壓或過流導(dǎo)致?lián)p壞。

功率半導(dǎo)體IGBT測試機單管|模塊測試設(shè)備

規(guī)格參數(shù)

功率半導(dǎo)體IGBT測試機單管|模塊測試設(shè)備

關(guān)鍵詞：儀器儀表功率器件 IGBT

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