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GaN器件靜態參數測試儀

參考價	￥ 1
訂貨量	≥1臺

具體成交價以合同協議為準

公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
品牌其他品牌
型號HUSTEC-160
所在地深圳市
廠商性質生產廠家
更新時間2026/7/6 14:27:20
訪問次數72

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公司介紹主營產品

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業從事功率半導體測試系統自主研發制造與綜合測試分析服務的*，坐落于改革開放之都-中國深圳，核心業務為半導體功率器件智能檢測準備研制生產，公司產品主要涉及SMT*檢測儀，MOS管直流參數測試儀，MOS管動態參數測試儀，IGBT動態參數測試系統，IGBT靜態參數測試儀，在線式檢修用IGBT測試儀，變頻器檢修用IGBT測試儀，IGBT模塊測試儀，軌道交通檢修用IGBT測試儀，風力發電檢修用IGBT測試儀，產品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優勢，將廣泛應用于IDM廠商、器件設計、制造、封裝廠商及高校研究所等；
華夏神州，科技興國，智能創新，源遠流長；華科智源公司核心團隊由華中科技大學等國內高校研究所、行業應用專家等技術人才組建，致力于中國功率半導體事業，積極響應國家提出的中國制造2025戰略，投身于半導體測試設備。
深圳華科智源科技有限公司-，功率器件測試方案供應商，2025中國制造 • 芯片設計及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。

首件檢測儀,首件檢測系統，SMT智能首件檢測儀，首樣檢測，首板確認

產品簡介在線詢價

GaN器件靜態參數測試儀，測試二極管、IGBT，MOS管，SIC器件靜態參數，并生產器件傳輸曲線和轉移曲線，測試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于器件設計，封裝測試，軌道交通，電動汽車，風力發電，變頻器，焊機等行業的IGBT來料選型和失效分析。

GaN器件靜態參數測試儀產品信息

HUSTEC華科智源

HUSTEC-1600A-MT

GaN器件靜態參數測試儀

一：GaN器件靜態參數測試儀主要特點

華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車，風力發電，變頻器，焊機行業的IGBT來料選型和失效分析，設備還可以用于變頻器，風電，軌道交通，電焊機等行業的在線檢修，無需從電路板上取下來進行單獨測試，可實現在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態參數測試；

GaN器件靜態參數測試儀測試參數：

ICES 集電極-發射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發射極飽和電壓

ICON 通態電極電流

VGEON 通態柵極電壓

VF 二極管正向導通壓降

整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。

二：華科智源GaN器件靜態參數測試儀應用范圍

A：IGBT單管及模塊，

B：大功率場效應管（Mosfet）

C：大功率二極管

D：標準低阻值電阻

E：軌道交通，風力發電，新能源汽車，變頻器，焊機等行業篩選以及在線故障檢測

三、華科智源GaN器件靜態參數測試儀特征：

A：測量多種IGBT、MOS管

B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣；

C：脈沖寬度 50uS~300uS

D：Vce測量精度2mV

E：Vce測量范圍>10V

F：電腦圖形顯示界面

G：智能保護被測量器件

H：上位機攜帶數據庫功能

I：MOS IGBT內部二極管壓降

J : 一次測試IGBT全部靜態參數

K: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）

L:可以進行不同曲線的對比，觀測同一批次產品的曲線狀態，或者不同廠家同一規格參數的曲線對比；

序號	測試項目	描述	測量范圍	分辨率	精度
1	VF	二極管正向導通壓降	0~20V	1mV	±1%,±1mV
2	IF	二極管正向導通電流	0~1200A	≤200A時,0.1A	≤200A時,±1%±0.1A
3	IF	二極管正向導通電流	0~1200A	＞200A時,1A	＞200A時,±1%
4	Vces	集電極-發射極電壓	0~5000V	1V	±1%,±1V
5	Ic	通態集電極電流	0~1200A	≤200A時,0.1A	≤200A時,±1%±0.1A
6	Ic	通態集電極電流	0~1200A	＞200A時,1A	＞200A時,±1%
7	Ices	集電極-發射極漏電流	0~50mA	1nA	±1%,±10μA
8	Vgeth	柵極-發射極閾值電壓	0~20V	1mV	±1%,±1mV
9	Vcesat	集電極-發射極飽和電壓	0~20V	1mV	±1%,±1mV
10	Igesf	正向柵極漏電流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
11	Igesr	反向柵極漏電流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
12	Vges	柵極發射極電壓	0~40V	1mV	±1%,±1mV